Sensofar共聚焦白光幹涉儀|對用於後端封裝環節

關(guan) 於(yu) 在半導體(ti) 領域的應用，我們(men) 通常集中在製造過程的後端封裝環節：Sensofar的產(chan) 品可以用來表征關(guan) 鍵尺寸，表征材料的粗糙度，以及進行缺陷檢測等。

碳化矽基晶圓

由於(yu) 其優(you) 異的熱穩定性與(yu) 特殊的電子傳(chuan) 輸特性，以碳化矽基晶圓為(wei) 基礎的芯片在很多新興(xing) 電子器件比如說5G通訊等領域得到了廣泛應用。在製備碳化矽基集成電路時，通常采用的是化學氣相沉積技術。對其表麵形貌的測量與(yu) 表征對於(yu) 了解其晶體(ti) 生長過程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過ISO標準規定的各空間，高度，以及混合參數來表征材料的形貌。

蝕刻電路

在蝕刻工藝之後，通常需要評估所得特征的高度。SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過檢測形貌中的兩(liang) 個(ge) 不同高度的平麵來計算該台階高度。無論分析的圖案如何，都可以立即識別出該台階特征。 為(wei) 了確保測量的最佳精度，該處使用了 幹涉測量法。

3D 十字切口

衡量芯片分割的質量通常有兩(liang) 個(ge) 主要參數來表征：高度，以確保底部沒有被損壞；寬度，這是衡量切割質量的標準。 Cross kerf 插件 不僅(jin) 可以檢測十字並提取所需的參數，還可以調平表麵以確保晶圓中的現有角度不會(hui) 影響提取的數據。對於(yu) 此應用，這些分割特征的高縱橫比使得測量非常具有挑戰性，隻有 Ai Focus Variation 才能合適的解決(jue) 此應用中存在的問題。

鈍化層孔

鈍化層上的孔決(jue) 定了芯片與(yu) 引線鍵合的通路。
孔插件 可以測量直徑從(cong) 50微米到2毫米的孔，在此應用中非常實用。

孔內薄膜厚度

S neox 擴展了 反射光譜儀(yi) 的應用，因為(wei) 它可以使用低至3微米的光斑測量直徑非常小的孔上的薄膜厚度！

通過表麵測量管控晶片翹曲

該晶圓經過了不同的工序，其表麵有不同的特征點。
紋理化工藝處理使得這些特征點表麵非常粗糙，因此可以用 S wide來測量。
在高溫環境實施的外延生長薄膜工藝使得晶圓有可能產(chan) 生變形。 為(wei) 了評估這一點，我們(men) 用SensoVIEW測量了特征結構之間的距離，
看它們(men) 是否符合預期的長度，由此來判斷晶圓是否有形變。