透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量係統

PicoFemto透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量係統，是在標準外形的透射電鏡樣品杆內(nei) 加裝掃描探針控製單元，通過探針對單個(ge) 納米結構進行操縱和電學測量，並可在電學測量的同時，動態、高分辨地對樣品的晶體(ti) 結構、化學組分、元素價(jia) 態進行綜合表征，大大地擴展了透射電子顯微鏡的功能與(yu) 應用領域。

透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量係統在標配的STM-TEM樣品杆上集成低溫環境控製單元，從(cong) 而實現在透射電鏡中進行原位低溫電學測量的目的。

PicoFemto透射電鏡原位 STM-TEM低溫電學測量係統性能指標

透射電鏡指標：

● 兼容電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾(qing) 版本，雙傾(qing) 電學測量樣品杆Y軸傾(qing) 角±25°（同時受限於(yu) 極靴間距）；

● 保證透射電鏡原有分辨率。

電學測量指標：

● 包含一個(ge) 電流電壓測試單元；

● 電流測量範圍：１ nA-30 mA，9個(ge) 量程；

● 電流分辨率：優(you) 於(yu) 100 fA；

● 電壓輸出範圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調範圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調範圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

低溫參數指標：

● 兼容型號透射電鏡及極靴；

● 全溫區結構分辨率優(you) 於(yu) 0.2 nm；

● 變溫範圍為(wei) 85 K-380 K，溫度穩定性優(you) 於(yu) ±0.1 K。

產(chan) 品特色

（1）溫度連續可控，穩定性高；

（2）低溫下可實現對樣品施加應力及電學研究；

（3）穩定性高：輕鬆獲得大幅度運動中的高分辨像，適用於(yu) 更廣泛的應用場景和樣品體(ti) 係；

 （4）很長的壽命：“爪-球"結構探針杆因其結構設計，是皮實耐用的探針杆；

 （5）很低維護成本：設備配套的針尖製備係統可低成本製備針尖耗材。"爪-球“微動結構已實現模塊化量產(chan) ，維護成本低；

 （6）很大的用戶群：在國內(nei) 擁有近200個(ge) 高質量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會(hui) 產(chan) 出大量高質量研究成果。定期組織各類用戶交流活動，搭建學術平台供用戶交流；

 （7）成熟的技術支持網絡：在安徽、北京、東(dong) 莞和上海擁有分公司，其他各地擁有若幹技術支持網點，24小時提供技術支持。

部分國內(nei) 用戶

部分國外用戶