蔡司雙束電鏡Crossbeam係列(FIB-SEM)

蔡司雙束電鏡Crossbeam係列(FIB-SEM)：專(zhuan) 為(wei) 高通量3D分析和樣品製備量身打造的FIB-SEM

蔡司雙束電鏡Crossbeam係列(FIB-SEM)結合了高分辨率場發射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(you) 異加工能力。無論是用於(yu) 多用戶實驗平台，還是科研或工業(ye) 實驗室， 利用Crossbeam係列模塊化的平台設計理念，您可基於(yu) 自身需求隨時升級儀(yi) 器係統（例如使用LaserFIB進行大規模材料加工）。在加工、成像或是實現三維重構分析時，Crossbeam係列將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應用效率。

• 使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力

• 提升您的聚集離子束（FIB）樣品製備效率

• 在您的雙束電鏡（FIB-SEM）分析中體(ti) 驗出色的三維空間分辨率

（一）、產品優勢

1、使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

• 通過樣品台減速技術（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學係統的一項功能）實現低電壓電子束分辨率提升高達30%。

• 使用Gemini電子光學係統，您可以從(cong) 高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。

• 在進行高度靈敏表麵二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam係列的性能。

• 即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。

• 借助一係列的探測器實現樣品的表征；使用Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。

• 使用低電壓表征不導電樣品，消除荷電效應的影響。

配置Gemini光學係統的蔡司雙束電鏡Crossbeam係列

2、提升您的聚焦離子束（FIB）樣品製備效率

• 得益於(yu) 智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。

• 镓離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷(shang) ，提升樣品質量，從(cong) 而加快實驗進程。

• 使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，並保持高分辨率。

• 製備TEM樣品時，請使用镓離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷(shang) 。

3、在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

• 體(ti) 驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(you) 勢。

• 在切割、成像或執行三維分析時，Crossbeam係列將提升您的FIB應用效率。

• 使用快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。

• 使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。

• 雙束電鏡的斷層成像可獲得優(you) 異的三維空間分辨率和各向同性的三維體(ti) 素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小於(yu) 3 nm的深度，可獲得極表麵的材料成分襯度圖像。

• 在加工過程中收集連續切片圖像以節省時間；精確的體(ti) 素尺寸和自動流程保證圖像質量。

（二）、蔡司雙束電鏡Crossbeam係列

Crossbeam 350

利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體(ti) 或帶電的樣品進行原位實驗。通過Gemini電子光學係統和镓離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現高質量成像。

Crossbeam 550

為(wei) 您進行要求苛刻的材料表征並選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學係統即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析，這無疑是您的理想之選。

Crossbeam Laser

用於(yu) 切割大量材料和製備大樣品的儀(yi) 器——交換艙內(nei) 的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室汙染，並可配置於(yu) Crossbeam 350和550，快速找到深埋結構的入口以及製備要求苛刻的結構（如原子探針樣品）。

Correlative Cryo Workflow（冷凍關(guan) 聯工作流程）

這種用於(yu) 在冷凍條件下進行TEM薄片製備和體(ti) 積成像的解決(jue) 方案能夠實現接近原生狀態的成像。關(guan) 聯寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性。

（三）、蔡司雙束電鏡Crossbeam係列背後的技術

1、掃描電鏡電子光學器件

1） 兩種鏡筒可供選擇

和所有的蔡司場發射掃描電鏡一樣，蔡司雙束電鏡Crossbeam係列的場發射掃描電鏡鏡筒基於(yu) Gemini電子光學係統。目前兩(liang) 款鏡筒：配置Crossbeam 350的Gemini I VP鏡筒和配置Crossbeam 550的Gemini II鏡筒可供您選擇。

場發射掃描電鏡專(zhuan) 為(wei) 高分辨率成像而設計，其性能取決(jue) 於(yu) 它的電子光學鏡筒。Gemini技術支持所有的蔡司場發射掃描電鏡和雙束電鏡：特別為(wei) 各種樣品，尤其是低電壓下提供高分辨和高效且操作簡單的探測。

2） Gemini電子光學係統主要有三個特征

• Gemini物鏡是靜電透鏡和電磁透鏡複合的電子光學結構，可大大提升鏡筒的使用效果，麵對富有挑戰性的磁性樣品同樣有出色的成像效果。

• Gemini鏡筒配置的電子束加減速技術，可保證電子束斑尺寸和高信噪比。

• Gemini鏡筒內(nei) 設置的探測器，可確保信號的高效收集，可同時收集二次電子（SE）和背散射電子（BSE）信號。

3） 從您的雙束電鏡應用獲益

• 掃描電鏡電子束對準可長期保持穩定，改變探針電流和加速電壓對係統幾乎沒有影響。

• 無磁場泄露的光學係統可實現大視野無畸變高分辨成像。

• 樣品傾(qing) 斜轉動時不影響電子光學係統的表現。

4） 帶Gemini I VP的蔡司Crossbeam 350

• 更廣的樣品和環境適用性

• 放氣或者荷電樣品原位實驗的可行性

• 利用Inlens EsB探測器實現材料成分襯度

5） 帶Gemini II的蔡司Crossbeam 550

• 基於(yu) 雙聚光鏡係統，在低電壓大束流下依然可以獲得高分辨圖像

• 通過高分辨成像及快速分析技術可在短時間內(nei) 獲得更多信息

• 使用Inlens SE和EsB探測器實現形貌及成分襯度同時成像

2、Gemini新型光學係統

得益於(yu) 高度靈敏的表麵成像分析

在低著陸能量下獲取高分辨圖像已經成為(wei) SEM應用的標準。本質上因為(wei) ：

• 光束敏感樣品

• 非導電材料

• 獲得真實樣品表麵信息，而不受樣品更深層背景信號的幹擾

Gemini電子光學結構優(you) 化低電壓和超低電壓的分辨率並且增強了襯度。
其技術特點為(wei) 使用高分辨率電子槍模式和可選的樣品台減速技術（Tandem decel）。

• 高分辨率電子槍模式通過將電子束最初能量色散降低30%，令電子束色差盡可能降低。

樣品台減速技術現配置給蔡司Crossbeam350/550，可以在兩(liang) 種不同的模式下使用：

• 樣品台減速技術（Tandem decel）采用兩(liang) 步式電子束減速模式，它結合了電子束推進器技術和對樣品施加的高負偏壓，使入射束的電子減速，進而有效降低著陸電壓。

• 施加50V到100V之間的可變負偏壓，一種應用模式可增強您圖像的對比度。

• 施加1kV到5kV之間的負偏壓，提高您圖像的低加速電壓分辨率。

樣品台減速技術可選樣品偏壓高達5 kV，進一步提高了低電壓下的出色成像能力

3、雙束電鏡技術

發現一種新的聚焦離子束（FIB）處理方式

镓離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進程，並讓您受益於(yu) 其對任何樣品的低電壓性能。

蔡司Crossbeam產(chan) 品係列配有新一代的镓離子FIB鏡筒——Ion-sculptor，具有可實現高通量的高電流以及用於(yu) 高樣品質量的出色低電壓性能。

• 充分利用镓離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來提升樣品質量。

• 盡可能減少您樣品的非晶化並使您在減薄後獲得出色結果。

• 產(chan) 品具備全麵穩定性，確保您獲得精準且可重複的結果。

• 通過快速探頭電流交換加速您的FIB應用。

• 借助高達100 nA的電子束流可進行高通量實驗。

• 實現小於(yu) 3 nm的出色的FIB分辨率。

• Crossbeam產(chan) 品係列配有用於(yu) 長期實驗的自動FIB發射恢複功能。

蔡司雙束電鏡Crossbeam 550配有Gemini II鏡筒，包括雙聚光鏡和兩(liang) 個(ge) Inlens探測器以及一個(ge) 以54°傾(qing) 斜角度裝置的FIB鏡筒