PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量係統

澤攸MEMS-STM-TEM多場測量係統，原位透射電子顯微鏡實驗係統，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構建一個(ge) 可控的多場環境（包括力、熱、光、電等）

澤攸MEMS-STM-TEM多場測量係統，該產(chan) 品是原位透射電子顯微鏡實驗係統，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構建一個(ge) 可控的多場環境（包括力、熱、光、電等），從(cong) 而對材料或者器件等樣品實現多重激勵下的原位表征。

性能指標

透射電鏡指標：

● 兼容指*電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾(qing) 版本，雙傾(qing) 電學測量樣品杆Y軸傾(qing) 角±25°（同時受限於(yu) 極靴間距）；

電學測量指標：

● 包含一個(ge) 電流電壓測試單元；

● 電流測量範圍：１ nA-30 mA，9個(ge) 量程；

● 電流分辨率：優(you) 於(yu) 100 fA；

● 電壓輸出範圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調範圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調範圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標：

● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡係統真空指標；

● 可選光纖探針、平頭光纖；

● 配備快速SMA接頭、FC接頭；

加熱指標：

● 溫度範圍：室溫到1000 ℃；

● 溫度準確度優(you) 於(yu) 5% ；

● 溫度穩定性：優(you) 於(yu) ±0.1 ℃。

應用場景

可通過簡單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為(wei) 樣品施加至多四種激勵，實現多種複雜的測試功能，完成以往無法實現的研究。

（1）高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學STM探針）；

（2）熱電子發射/場發射（加熱芯片+電學STM探針）；

（3）三端器件測量（電學芯片+電學STM探針）；

（4）電致發光現象研究（電學芯片+光學STM探針）；

（5）光電現象研究（電學芯片+光學STM探針）。

產(chan) 品特色

穩定性高

輕鬆獲得大幅度運動中的高分辨像，適用於(yu) 更廣泛的應用場景和樣品體(ti) 係。

很長的壽命